Cargadores de GaN o Nitruro de Galio son aproximadamente tres veces más eficientes que los cargadores de silicio a la hora de convertir energía en electricidad, y también son mucho más pequeños y portátiles, lo que les permite cargar sus teléfonos diez veces más rápido que un cargador normal, lo que significa que puede llevarlos a cualquier parte y aún así obtener más potencia.
GaN es resistente a altas temperaturas, los cargadores duran mucho más y reducen el calor emitido por el dispositivo. La tecnología GaN aumentará las posibilidades de producir dispositivos más potentes con menos energía en el futuro; rápidamente se han popularizado como los semiconductores perfectos entre los cargadores.
La razón principal por la que se prefieren los cargadores de GaN a los cargadores basados en silicio es que utilizan menos energía al convertir la electricidad en corriente alterna de manera más eficiente. No pasará mucho tiempo antes de que veamos cargadores de GaN en teléfonos inteligentes y otros dispositivos electrónicos. Samsung Electronics comenzó a utilizar un cargador de GaN para su teléfono inteligente Galaxy S4 lanzado a principios de este año.
El silicio ha sido el material preferido para los transistores desde los años 80. El silicio absorbe energía mejor que los materiales utilizados tradicionalmente, como los tubos de vacío, y al mismo tiempo reduce los costos debido a su bajo costo de producción. Los avances tecnológicos a lo largo de los años han resultado y han cambiado rápidamente el futuro de los cargadores. GaN es un material único. Es una sustancia parecida a un cristal que puede conducir voltajes aún más altos. Los componentes de GaN permiten que la corriente eléctrica fluya a través de ellos más rápidamente
Ventajas:
Desventajas:
Puede obtener fácilmente su cargador rápido GaN de nuestras colecciones de cargadores. Tenemos muchos tipos diferentes de cargadores rápidos GaN que puede usar para encender sus dispositivos móviles fácilmente.
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